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13、一种采用AlGaInN四元材料作为量子阱和量子垒的LED结构及其制备方法
2016-12-4
发明名称：
一种采用AlGaInN四元材料作为量子阱和量子垒的LED结构及其制备方法，专利号：
ZL201110082441.7。
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